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IPB065N15N3 G /MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB065N15N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:130 A

Rds On-漏源导通电阻:5.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:93 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:IPB065N15N3GATMA1 IPB65N15N3GXT SP000521724

单位重量:1.600 g

供应商IPB065N15N3 G
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深圳市威雅利发展有限公司IPB065N15N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB065N15N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPB065N15N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市星宇佳科技有限公司IPB065N15N3 G 其他IC深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB065N15N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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IPB065N15N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥23.4
2000+:¥22.23
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100+:¥32.371+:¥21.3
10+:¥19.65
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100+:¥16.841+:¥38.241+:¥38.24
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Mouser 贸泽电子
IPB065N15N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥23.4
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IPB065N15N3 GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥48.47
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